Marché mondial de la mémoire non volatile de nouvelle génération par produit (FeRAM, PCM, MRAM et ReRAM), par application (téléphones mobiles, mémoire cache et stockage d'entreprise, industrie et automobile, stockage de masse et cartes MCU et à puce intégrées), par région et Entreprises - Perspectives du segment de l'industrie, évaluation du marché, scénario de concurrence, tendances et prévisions 2023-2032

Marché de la mémoire non volatile de nouvelle génération Aperçu

Le marché des mémoires non volatiles de nouvelle génération était évalué à Millions de 1,574.9 USD en 2021. On s'attend à ce qu'il continue de croître à un CAGR de 20.1% pendant la période de prévision.

La demande croissante de solutions de mémoire rapides, économiques et hautement évolutives devrait propulser l'industrie vers l'avant. À mesure que les données augmentent, le besoin de gestion et de stockage des données augmente également.

Portée du marché mondial de la mémoire non volatile de nouvelle génération:

Analyse du produit

Les mémoires non volatiles (NVM), qui sont très fiables et faciles à programmer avec un micro-ordinateur ou dans des équipements électroniques modernes, représentent la part de marché la plus élevée de la prochaine génération en 2021. Il existe peu de mémoires non volatiles, y compris la mémoire à changement de phase ( PCM), Magnéto-résistive RAMTM (MRAM), magnéto-résistive RAMTM (FeRAM), résistive RAMTM (RRAM), flash, spin-transfer-torque RAM (STTRAM) et magnéto-résistive RAMTM (MRAM).

En 2021, la MRAM était le segment de produits le plus dominant de l'industrie avec un marché d'une valeur de 290.4 millions de dollars américains. ReRAM devrait être le segment de produits à la croissance la plus rapide au cours de la période de prévision. Les propriétés fonctionnelles des types de mémoire en ce qui concerne les opérations de programmation ou d'effacement sont ce sous quoi ils sont généralement classés.

Analyse des applications

Les produits industriels répondent au besoin d'appareils spécifiques de petite taille. Les mémoires STT MRAM et PCM s'adaptent plus rapidement pour faire du stockage d'entreprise le segment d'application dominant. Les segments des applications embarquées et des cartes à puce devraient gagner en popularité au cours de la période de prévision.

En raison de la demande croissante d'informations basées sur le Web, la mémoire non volatile améliorera probablement les performances et les performances d'entrée des systèmes de stockage d'entreprise. Attendez-vous à voir plus de PCM être utilisé dans les téléphones mobiles que NOR et mémoire flash. En remplacement des puces flash à plus haute densité, les microcontrôleurs et les cartes à puce sont susceptibles d'utiliser PCM, MRAM et STT-MRAM.

Segments de marché clés

Par produit

• FeRAM
• PCM
• MRAM
• RéRAM

By Candidature

• Smartphones
• Mémoire cache et stockage d'entreprise
• Industriel et automobile
• Mass Storage
• MCU intégré et cartes à puce

Dynamique du marché:

Les acteurs de l'industrie visent à offrir des technologies de conservation de l'énergie et à améliorer l'efficacité de l'industrie. Pour que les nouvelles technologies deviennent plus efficaces et plus rapides, il est important de réduire les marges bénéficiaires des technologies de mémoire traditionnelles.

Le marché devrait croître en raison de la demande croissante de périphériques de stockage universels ainsi que de stockage de masse. Au cours des six prochaines années, la croissance du marché sera limitée par le coût élevé de la conception et les instabilités dans des conditions environnementales extrêmes.

Il pourrait y avoir de nouvelles opportunités de marché à l'avenir en raison de la demande accrue pour diverses applications, telles que la mémoire flash industrielle et le remplacement. L'industrie pourrait voir une augmentation de la demande d'électronique flexible et d'électronique portable.

Analyse régionale

En raison de la présence de leaders de l'industrie dans des pays comme la Chine, le Japon et la Corée du Sud, l'Asie-Pacifique devrait représenter la part de marché la plus élevée de 35.6 % au cours de la période de prévision. Dans les années à venir, la croissance régionale est également soutenue par l'expansion des industries de l'informatique et de la téléphonie mobile.

Des interfaces DDR et SATA sont disponibles. L'interface DDR est utilisée dans les applications à grande vitesse et gourmandes en mémoire telles que les équipements industriels, de réseau et de télécommunications. Ils sont utilisés sur les serveurs des postes de travail, ainsi que sur les cartes graphiques.

DDR vous permet de récupérer des données sur les fronts montants et descendants des cycles d'horloge. Cela double votre débit de données pour une fréquence donnée. L'interface SATA est principalement utilisée dans les ordinateurs portables et les systèmes informatiques. Toutes les applications informatiques peuvent utiliser l'interface PCIe, y compris celles des serveurs d'entreprise, des ordinateurs personnels, des systèmes de communication et des applications industrielles de mise en mémoire tampon et de mise en cache.

Régions et pays clés couverts dans le rapport :

• Amérique du Nord
  • US
  • Canada
  • Mexique
• Europe
  • Allemagne
  • UK
  • France
  • Italy
  • Russie
  • Espagne
  • Reste de l'Europe
• APAC
  • Chine
  • Japon
  • South Korea
  • Inde
  • Reste de l'Asie-Pacifique
• Amérique du Sud
  • Brasil
  • Argentine
  • Reste de l'Amérique du Sud
• MEA
  • GCC
  • Afrique du Sud
  • Israël
  • Reste de la MEA

Part de marché et analyse des acteurs clés :

Adesto Technologies, Crossbar Inc., Micron Technology, Everspin Technologies, Fujitsu Ltd., Intel Corporation et Samsung Electronics Co. Ltd. sont les principaux acteurs du secteur. La MRAM est développée par Toshiba et SK Hynix en Corée du Sud. Il a une capacité de stockage élevée, consomme moins d'énergie que la DRAM et est largement utilisé dans les smartphones et autres appareils électroniques.

Acteurs clés du marché :

• Technologies Adesto
• Technologies Everspin
• Barre transversale inc.
• Fujitsu Ltd.
• Intel Corporation
• micron Technology
• Samsung Electronics Co. Ltd
• Cypress Semiconductor
• IBM Corporation
• Autres acteurs clés

Pour l’étude de marché sur la mémoire non volatile de nouvelle génération, les années suivantes ont été prises en compte pour estimer la taille du marché: