Mercato globale della memoria non volatile di nuova generazione per prodotto (FeRAM, PCM, MRAM e ReRAM), per applicazione (telefoni cellulari, memoria cache e storage aziendale, industriale e automobilistico, archiviazione di massa e MCU e smart card integrati), per regione e Aziende: prospettive del settore industriale, valutazione del mercato, scenario della concorrenza, tendenze e previsioni 2023-2032

Mercato delle memorie non volatili di nuova generazione Panoramica

Il mercato delle memorie non volatili di nuova generazione è stato valutato US $ 1,574.9 milioni nel 2021. Si prevede che continuerà a crescere a CAGR di 20.1% durante il periodo di previsione.

Si prevede che la crescente domanda di soluzioni di memoria rapide, economiche e altamente scalabili farà progredire il settore. Man mano che i dati crescono, aumenta anche la necessità di gestione e archiviazione dei dati.

Ambito di mercato globale Memoria non volatile di nuova generazione:

Analisi del prodotto

Le memorie non volatili (NVM), che sono altamente affidabili e facili da programmare con un microcomputer o in moderne apparecchiature elettroniche, rappresentano la più alta quota di mercato della prossima generazione nel 2021. Ci sono poche memorie non volatili, inclusa la memoria a cambiamento di fase ( PCM), RAM magneto-resistiva (MRAM), RAM magneto-resistiva (FeRAM), RAM resistiva (RRAM), flash, RAM a coppia di trasferimento di spin (STTRAM) e RAM magneto-resistiva (MRAM).

Nel 2021, MRAM è stato il segmento di prodotti più dominante nel settore con un mercato del valore di 290.4 milioni di dollari. ReRAM dovrebbe essere il segmento di prodotti in più rapida crescita durante il periodo di previsione. Le proprietà funzionali dei tipi di memoria rispetto alle operazioni di programmazione o cancellazione sono ciò in cui sono solitamente classificate.

Analisi dell'applicazione

I prodotti del settore soddisfano l'esigenza di dispositivi specifici di dimensioni ridotte. Le memorie STT MRAM e PCM si stanno adattando più rapidamente per rendere lo storage aziendale il segmento applicativo dominante. Si prevede che i segmenti delle applicazioni Embedded e Smart Card guadagneranno popolarità nel periodo di previsione.

A causa della crescente domanda di informazioni basate sul Web, la memoria non volatile probabilmente migliorerà le prestazioni e le prestazioni di input dei sistemi di archiviazione aziendali. Aspettatevi di vedere più PCM utilizzato nei telefoni cellulari rispetto a NOR e memoria flash. In sostituzione di chip flash a densità più elevata, è probabile che i microcontrollori e le smartcard utilizzino PCM, MRAM e STT-MRAM.

Segmenti chiave del mercato

Per prodotto

• FeRAM
• PCM
• MRAM
• ReRAM

By Applicazioni

• Cellulari
• Memoria cache e archiviazione aziendale
• Industriale e automobilistico
• mass Storage
• MCU integrato e smart card

Dinamiche di mercato:

Gli operatori del settore mirano a offrire tecnologie di risparmio energetico e migliorare l'efficienza del settore. Affinché le nuove tecnologie diventino più efficienti e veloci, è importante ridurre i margini di profitto nelle tradizionali tecnologie di memoria.

Si prevede che il mercato crescerà a causa della crescente domanda di dispositivi di archiviazione universali e di archiviazione di massa. Nei prossimi sei anni, la crescita del mercato sarà limitata dagli alti costi di progettazione e dalle instabilità in condizioni ambientali estreme.

Potrebbero esserci nuove opportunità di mercato in futuro a causa dell'aumento della domanda di varie applicazioni, come la memoria flash industriale e la sostituzione. L'industria potrebbe assistere a un aumento della domanda di elettronica flessibile e di elettronica indossabile.

Analisi regionale

A causa della presenza di leader del settore in paesi come Cina, Giappone e Corea del Sud, si prevede che l'Asia del Pacifico rappresenterà la quota di mercato più alta del 35.6% durante il periodo di previsione. Nei prossimi anni, la crescita regionale sarà supportata anche dall'espansione dei settori dei computer e dei telefoni cellulari.

Sono disponibili interfacce DDR e SATA. L'interfaccia DDR viene utilizzata in applicazioni ad alta velocità e ad alta intensità di memoria come apparecchiature industriali, di rete e di telecomunicazione. Sono utilizzati anche su server di workstation e schede grafiche.

DDR consente di recuperare i dati sui fronti di salita e discesa dei cicli di clock. Questo raddoppia la velocità dei dati per una data frequenza. L'interfaccia SATA è utilizzata principalmente nei laptop e nei sistemi informatici. Tutte le applicazioni informatiche possono utilizzare l'interfaccia PCIe, comprese quelle dei server aziendali, dei personal computer, dei sistemi di comunicazione e delle applicazioni industriali di buffering e caching.

Principali regioni e paesi trattati nel rapporto:

• Nord America
  • US
  • Canada
  • Messico
• Europa
  • Germania
  • UK
  • Francia
  • Italia
  • Russia
  • Spagna
  • Resto d'Europa
• APAC
  • Cina
  • Giappone
  • Corea del Sud
  • India
  • Resto dell'Asia-Pacifico
• Sud America
  • Brasil
  • Argentina
  • Resto del Sud America
• MEA
  • GCC
  • Sud Africa
  • Israele
  • Resto del MEA

Analisi della quota di mercato e dei principali attori:

Adesto Technologies, Crossbar Inc., Micron Technology, Everspin Technologies, Fujitsu Ltd., Intel Corporation e Samsung Electronics Co. Ltd. sono i principali attori del settore. MRAM è stato sviluppato da Toshiba e SK Hynix in Corea del Sud. Ha un'elevata capacità di archiviazione, consuma meno energia della DRAM ed è ampiamente utilizzato negli smartphone e in altri dispositivi elettronici.

Giocatori chiave del mercato:

• Tecnologie Adesto
• Tecnologie Everspin
• Traversa Inc.
• Fujitsu Ltd.
• Intel Corporation
• Tecnologia Micron
• Samsung Electronics Co. Ltd
• Cypress Semiconductor
• IBM Corporation
• Altri attori chiave

Per lo studio di ricerca di mercato Memoria non volatile di nuova generazione, sono stati considerati i seguenti anni per stimare la dimensione del mercato: