Globaler Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation nach Produkt (FeRAM, PCM, MRAM und ReRAM), nach Anwendung (Mobiltelefone, Cache-Speicher und Unternehmensspeicher, Industrie und Automobil, Massenspeicher und eingebettete MCU und Smartcards), nach Region und Unternehmen - Branchensegmentausblick, Markteinschätzung, Wettbewerbsszenario, Trends und Prognose 2023-2032
- Veröffentlichungsdatum: September 2021
- Berichts-ID: 26780
- Seitenzahl: 344
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Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation Überblick
Der Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation wurde bewertet 1,574.9 Millionen US-Dollar im Jahr 2021. Es wird erwartet, dass es weiter um a wachsen wird CAGR von 20.1% während des Prognosezeitraums.
Die steigende Nachfrage nach schnellen, wirtschaftlichen und hochskalierbaren Speicherlösungen dürfte die Branche vorantreiben. Mit dem Datenwachstum steigt auch der Bedarf an Datenverwaltung und -speicherung.
Umfang des globalen Nichtflüchtiger Speicher der nächsten Generation marktes:
Produktanalyse
Nichtflüchtige Speicher (NVM), die äußerst zuverlässig und einfach mit einem Mikrocomputer oder in modernen elektronischen Geräten zu programmieren sind, machen 2021 den höchsten Marktanteil der nächsten Generation aus. Es gibt nur wenige nichtflüchtige Speicher, einschließlich Phasenwechselspeicher ( PCM), magnetoresistives RAMTM (MRAM), magnetoresistives RAMTM (FeRAM), resistives RAMTM (RRAM), Flash, Spin-Transfer-Torque-RAM (STTRAM) und magnetoresistives RAMTM (MRAM).
Im Jahr 2021 war MRAM mit einem Marktwert von 290.4 Millionen US-Dollar das dominanteste Produktsegment der Branche. ReRAM wird im Prognosezeitraum voraussichtlich das am schnellsten wachsende Produktsegment sein. Die funktionellen Eigenschaften von Speichertypen in Bezug auf Programmier- oder Löschoperationen sind das, worunter sie üblicherweise eingeordnet werden.
Anwendungsanalyse
Industrieprodukte erfüllen den Bedarf an spezifischen, kleinen Geräten. STT MRAM- und PCM-Speicher passen sich schneller an, um Unternehmensspeicher zum dominierenden Anwendungssegment zu machen. Die Segmente Embedded- und Smartcard-Anwendungen werden voraussichtlich im Prognosezeitraum an Popularität gewinnen.
Aufgrund der steigenden Nachfrage nach webbasierten Informationen wird der nichtflüchtige Speicher wahrscheinlich die Leistung und Eingabeleistung von Unternehmensspeichersystemen verbessern. Erwarten Sie, dass in Mobiltelefonen mehr PCM als NOR und Flash-Speicher verwendet werden. Als Ersatz für Flash-Chips mit höherer Dichte verwenden Mikrocontroller und Smartcards wahrscheinlich PCM, MRAM und STT-MRAM.
Wichtige Marktsegmente
Nach Produkt
- FeRAM
- PCM
- MRAM
- ReRAM
By Anwendung
- Mobiltelefone
- Cache-Speicher und Unternehmensspeicher
- Industrie & Automobil
- Massenspeicher
- Eingebettete MCU und Smartcards
Marktdynamik:
Branchenakteure zielen darauf ab, Energiespartechnologien anzubieten und die Effizienz der Branche zu verbessern. Damit neue Technologien effizienter und schneller werden, ist es wichtig, die Gewinnmargen bei traditionellen Speichertechnologien zu reduzieren.
Aufgrund der steigenden Nachfrage nach universellen Speichergeräten sowie Massenspeichern wird ein Wachstum des Marktes erwartet. In den nächsten sechs Jahren wird das Marktwachstum durch die hohen Konstruktionskosten und Instabilitäten unter extremen Umgebungsbedingungen begrenzt.
Aufgrund der gestiegenen Nachfrage nach verschiedenen Anwendungen, wie z. B. industriellem Flash-Speicher und Ersatz, können sich in Zukunft neue Marktchancen ergeben. Die Industrie könnte einen Anstieg der Nachfrage nach flexibler Elektronik und tragbarer Elektronik verzeichnen.
Regionale Analyse
Aufgrund der Präsenz von Branchenführern in Ländern wie China, Japan und Südkorea wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum voraussichtlich den höchsten Marktanteil von 35.6 % ausmachen. In den kommenden Jahren wird das regionale Wachstum auch durch die expandierende Computer- und Mobiltelefonindustrie unterstützt.
DDR- und SATA-Schnittstellen sind verfügbar. Die DDR-Schnittstelle wird in speicherintensiven Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie Industrie-, Netzwerk- und Telekommunikationsgeräten verwendet. Sie werden auch auf Workstations, Servern und Grafikkarten verwendet.
Mit DDR können Sie Daten an den steigenden und fallenden Flanken von Taktzyklen abrufen. Dies verdoppelt Ihre Datenrate für eine bestimmte Frequenz. Die SATA-Schnittstelle wird hauptsächlich in Laptops und Computersystemen verwendet. Alle Computeranwendungen können die PCIe-Schnittstelle verwenden, einschließlich derjenigen von Unternehmensservern, PCs, Kommunikationssystemen und industriellen Puffer- und Caching-Anwendungen.
Wichtige Regionen und Länder, die im Bericht behandelt werden:
- Nordamerika
- US
- Kanada
- México
- Europa
- Deutschland
- UK
- Frankreich
- Italien
- Russland
- Spanien
- Rest von Europa
- APAC
- China
- Japan
- Südkorea
- India
- Rest von Asien-Pazifik
- Südamerika
- Brasil
- Argentina
- Rest von Südamerika
- MEA
- GCC
- Südafrika
- Israel
- Übriges MEA
Analyse von Marktanteilen und Hauptakteuren:
Adesto Technologies, Crossbar Inc., Micron Technology, Everspin Technologies, Fujitsu Ltd., Intel Corporation und Samsung Electronics Co. Ltd. sind die wichtigsten Akteure der Branche. MRAM wird von Toshiba und SK Hynix in Südkorea entwickelt. Es hat eine hohe Speicherkapazität, verbraucht weniger Strom als DRAM und wird häufig in Smartphones und anderen elektronischen Geräten verwendet.
Hauptakteure des Marktes:
- Adesto-Technologien
- Everspin-Technologien
- Crossbar Inc.
- Fujitsu Ltd.
- Intel Corporation
- micron Technology
- Samsung Electronics Co. Ltd.
- Cypress Semiconductor
- IBM Corporation
- Andere Schlüsselspieler
Für die Marktforschungsstudie zum nichtflüchtigen Speicher der nächsten Generation wurden die folgenden Jahre berücksichtigt, um die Marktgröße zu schätzen:
Attribut Berichtdetails Historische Jahre
2016-2020
Basisjahr
2021
Geschätztes Jahr
2022
Kurzfristiges Projektionsjahr
2028
Voraussichtliches Jahr
2023
Langfristiges Projektionsjahr
2032
Berichterstattung
Wettbewerbslandschaft, Umsatzanalyse, Unternehmensanteilsanalyse, Herstelleranalyse, Volumen nach Herstellern, Schlüsselsegmente, Schlüsselunternehmensanalyse, Markttrends, Vertriebskanal, Marktdynamik, COVID-19-Auswirkungsanalyse, Strategie für bestehende Akteure, um einen maximalen Marktanteil zu erreichen, und mehr.
Regionaler Geltungsbereich
Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Südamerika, Naher Osten und Afrika
Länderbereich
USA, Kanada und Mexiko, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Russland und Italien, China, Japan, Korea, Indien und Südostasien, Brasilien, Argentinien, Kolumbien usw. Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Ägypten, Nigeria und Südafrika
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
F: Wie groß ist der Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation im Jahr 2021?Der Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation wird im Jahr 1,574.9 auf 2021 Millionen US-Dollar geschätzt.
F: Wie hoch ist die prognostizierte CAGR, mit der der Markt für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation voraussichtlich wachsen wird?Es wird erwartet, dass der Markt für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation mit einer CAGR von 20.1 % (2023-2032) wachsen wird.
F: Listen Sie die Segmente auf, die in diesem Bericht über den Markt für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation enthalten sind?Market.US hat die globale Marktwertanalyse für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation (Mio. Der Produktmarkt wurde in FeRAM, PCM, MRAM und ReRAM, nach Anwendung Mobiltelefone, Cache-Speicher und Unternehmensspeicher, Industrie und Automobil, Massenspeicher sowie eingebettete MCU und Smart Cards unterteilt.
F: Nennen Sie die wichtigsten Branchenakteure des Marktes für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation?Adesto Technologies, Everspin Technologies, Crossbar Inc., Fujitsu Ltd., Intel Corporation, Micron Technology, Samsung Electronics Co. Ltd, IBM Corporation, Other Key Players, IBM Corporation, sind die wichtigsten Anbieter auf dem Markt für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation.
F: Welche Region ist attraktiver für Anbieter, die auf dem Markt für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation tätig sind?APAC wird voraussichtlich den höchsten Umsatzanteil von 35.6 % ausmachen. Daher wird erwartet, dass die APAC-Industrie für nicht flüchtige Speicher der nächsten Generation im Prognosezeitraum bedeutende Geschäftsmöglichkeiten erschließen wird.
F: Nennen Sie die wichtigsten Geschäftsfelder für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation?Schlüsselmärkte in China, Japan, den USA, Deutschland, Großbritannien usw. sind Schlüsselbereiche für den Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation.
F: Welches Segment hat den größten Marktanteil in der Branche der nichtflüchtigen Speicher der nächsten Generation?In Bezug auf die Industrie der nicht flüchtigen Speicher der nächsten Generation können Anbieter davon ausgehen, dass sie durch das MRAM-Segment größere potenzielle Geschäftsmöglichkeiten nutzen werden, da dieses Interessengebiet den größten Marktanteil ausmacht.
Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten GenerationVeröffentlichungsdatum: September 2021add_shopping_cartJETZT KAUFEN get_appBeispiel downloaden - Adesto-Technologien
- Everspin-Technologien
- Crossbar Inc.
- Fujitsu Ltd.
- Intel Corporation
- micron Technology
- Firmenprofil von Samsung Electronics Co. Ltd
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